CE3514M4

CEL
551-CE3514M4
CE3514M4

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
CEL
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
pHEMT
GaAs
12 GHz
12.2 dB
4 V
- 3 V
10 mA
- 55 C
+ 125 C
125 mW
SMD/SMT
minimold-4
Bulk
Marca: CEL
Configuración: Single
Transconductancia hacia delante - Mín.: 54 mS
Voltaje de corte puerta-fuente: - 750 mV
NF - Figura de ruido: 0.42 dB
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 4.528 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.