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IXSA40N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA40N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA40N120L2-7TR
Price: 8.23 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXSA40N120L2-7TR

Fabricante N.º:

IXSA40N120L2-7TR

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$8.23	$8.23
	$8.22	$82.20
	$7.90	$3,950.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$7.90	$6,320.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	41 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	104 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	53 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14.4 ns
Serie:	IXSA40N120L2-7
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	11.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.6 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is recommended for use in high-speed industrial switch mode power supplies. The IXSA40N120L2-7 MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.