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IPB70N04S4-06

Name: Infineon IPB70N04S4-06
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB70N04S4-06
Price: 1.95 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPB70N04S4-06

Fabricante N.º:

IPB70N04S4-06

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Hoja de datos:

IPB70N04S4-06 Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.95	$1.95
	$1.25	$12.50
	$0.862	$86.20
	$0.731	$365.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$0.61	$610.00
	$0.563	$1,126.00
	$0.533	$2,665.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	58 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	OptiMOS-T2
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB7N4S46XT SP000711476 IPB70N04S406ATMA1
Peso de la unidad:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.