CSD87502Q2T

Texas Instruments
595-CSD87502Q2T
CSD87502Q2T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 6,095

Existencias:
6,095 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$1.05 $1.05
$0.686 $6.86
$0.566 $56.60
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$0.566 $141.50
$0.53 $265.00
$0.51 $510.00
$0.503 $1,257.50
$0.467 $2,335.00
$0.462 $4,620.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.50
Mín.:
1

Producto similar

Texas Instruments CSD87502Q2
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-FET-6
N-Channel
2 Channel
30 V
5 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 3 ns, 3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 75 S, 75 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 11 ns, 11 ns
Serie: CSD87502Q2
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 12 ns, 12 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns, 3 ns
Peso de la unidad: 5 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.