TK080A60Z1,S4X

Toshiba
757-TK080A60Z1S4X
TK080A60Z1,S4X

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 16

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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
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Cantidad Precio unitario
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$4.89 $4.89
$3.39 $33.90
$2.31 $231.00
$1.92 $960.00
$1.85 $1,850.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220SIS-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
80 mOhms
30 V
4 V
43 nC
+ 150 C
45 W
Enhancement
Tube
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 35 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 93 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 60 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.