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IRFR110PBF

Name: Vishay IRFR110PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR110PBF
Price: 1.34 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

844-IRFR110PBF

Fabricante N.º:

IRFR110PBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp

Hoja de datos:

IRFR110PBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.34	$1.34
	$0.484	$4.84
	$0.441	$44.10
	$0.40	$200.00
	$0.37	$370.00
	$0.321	$963.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR110PBF-BE3

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.15

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR110TRLPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.35

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR110TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.35

Mín.:

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IRFR110PBF-BE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	540 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	8.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.9 ns
Alias de las piezas n.º:	IRFR110PBF-BE3
Peso de la unidad:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
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5-0321-7