Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IRFR9010PBF

Name: Vishay IRFR9010PBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR9010PBF
Price: 1.32 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

844-IRFR9010PBF

Fabricante N.º:

IRFR9010PBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 50V 5.3A

Hoja de datos:

IRFR9010PBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 5,254

Existencias:: 5,254 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.32	$1.32
	$0.557	$5.57
	$0.52	$52.00
	$0.463	$231.50
	$0.454	$454.00
	$0.453	$1,359.00
	$0.427	$10,248.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR9010TRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.50

Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	500 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	9.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	330 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
Qualification of ASE as an Additional Assembly Site of DPAK Commercial 
Power Mosfets 

DESCRIPTION OF CHANGE: Vishay Siliconix would like to announce the 
approval of Advanced Semiconductor Engineering (ASE) plant located in 
Weihai, China as an additional assembly facility for DPAK, MOSFET 
devices. 

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0614-3