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NTK3134NT3G

Name: onsemi NTK3134NT3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTK3134NT3G
Price: 0.34 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTK3134NT3G

Fabricante N.º:

NTK3134NT3G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection

Ciclo de vida:

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	$0.25	$2.50
	$0.142	$14.20
	$0.096	$48.00
	$0.076	$76.00
	$0.066	$165.00
	$0.058	$290.00
	$0.054	$540.00
	$0.047	$1,175.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 40000)
	$0.047	$1,880.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-723-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	890 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	450 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	7.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.8 ns
Serie:	NTK3134N
Cantidad de empaque de fábrica:	40000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.7 ns

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NTK3134NT3G Hoja de datos

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTK3134N Single N-Channel Power MOSFETs with ESD protection are robust MOSFETs optimized for high-efficiency switching applications. Encased in a compact 3-lead SOT-723 package, the onsemi NTK3134N components deliver a low R_DS(on)of 0.20Ω at 4.5V, minimizing conduction losses and enhancing thermal performance. With a drain-source voltage rating of 20V and a steady-state continuous drain current capability of 890mA (maximum), the NTK3134N MOSFETs are ideal for use in portable electronics, DC-DC converters, and load switch circuits. Fast switching speeds and low gate charge contribute to reduced power consumption and improved overall system efficiency, making these MOSFETs a reliable choice for space-constrained, power-sensitive designs.