Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

NXH004P120M3F2PNG

Name: onsemi NXH004P120M3F2PNG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH004P120M3F2PNG
Price: 241.27 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-XH004P120M3F2PNG

Fabricante N.º:

NXH004P120M3F2PNG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NXH004P120M3F2PNG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 20

Existencias:: 20 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$241.27	$241.27
	$219.86	$2,198.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	SiC Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	5.1 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	PIM-36
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NXH004P120M3F2PNG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Half Bridge
Tiempo de caída:	15 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	338 A
Dp - Disipación de potencia :	1.098 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	127 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	49 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NXH004P120M3F2PNG Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.