VSLB3940

Vishay Semiconductors
782-VSLB3940
VSLB3940

Fabricante:

Descripción:
Emisores infrarrojos 940nm, T-1 65mW/sr, +/-22deg.

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 14,261

Existencias:
14,261
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20,000
Se espera el 09/25/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$0.63 $0.63
$0.432 $4.32
$0.361 $36.10
$0.305 $152.50
$0.275 $275.00
$0.269 $672.50
$0.251 $1,255.00
$0.236 $2,360.00
$0.226 $5,650.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Emisores infrarrojos
RoHS:  
Through Hole
940 nm
65 mW/sr
22 deg
100 mA
1.35 V
160 mW
- 25 C
+ 85 C
Bulk
Marca: Vishay Semiconductors
Tiempo de caída: 15 ns
Color de iluminación: Infrared
Tipo de producto: IR Emitters (IR LEDs)
Tiempo de subida: 15 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Infrared Data Communications
Peso de la unidad: 280 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541410090
TARIC:
8541410000
CAHTS:
8541410000
USHTS:
8541410000
JPHTS:
854141000
MXHTS:
8541410100
BRHTS:
85414011
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

IR Emitters & Silicon PIN Photodiode

Vishay Semiconductors IR Emitters and Silicon PIN Photodiodes feature an 830nm to 950nm wavelength range with high radiant sensitivity from 1mW/sr to 1800mW/sr. These emitters provide double heterojunction infrared emitters with the lowest forward voltages and highly efficient homojunction emitters. The photodiodes offer the broadest selection of high-speed, low-dark current PIN photodiodes that are specifically designed to achieve excellent sensitivity together with high reliability.