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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
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374En existencias
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IXYS Módulos de Tiristores 56 Amps 1800V
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72En existencias
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IXYS Módulos de Tiristores 95 Amps 1400V
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132En existencias
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IXYS Módulos de Tiristores 90 Amps 1200V
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108En existencias
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 55 Amps 3600V
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410En existencias
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IXYS Rectificadores RECT 1.6KV 80A RDL STD RCOVR
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353En existencias
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IXYS Rectificadores 1200V 30A
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290En existencias
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IXYS Rectificadores 1200V 2X26A
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320En existencias
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IXYS Rectificadores 180 Amps 300V
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125En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IXYS Rectificadores 1600V 2X28A
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589En existencias
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IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
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199En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
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988En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
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189En existencias
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IXYS Módulos MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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177En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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470En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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321En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
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3,648En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Hoja de datos
512En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
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681En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
667En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 1A N-CH POLAR
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428En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 28 Amps 65V 0.045 Rds
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1,087En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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2,864En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
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258En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
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292En existencias
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