Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

BSH205G2R

Name: Nexperia BSH205G2R
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2R
Price: 0.58 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-BSH205G2R

Fabricante N.º:

BSH205G2R

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB

Hoja de datos:

BSH205G2R Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Nexperia BSH205G2R

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	170 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	6.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	43 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	934068496215
Peso de la unidad:	8 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtrar documento:

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology and offers a low threshold voltage with very fast switching. The BSH205G2 MOSFET is ideal for applications like relay drivers, high-speed line drivers and switching circuits.

PRODUCTOS DESTACADOS

NEXPERIA

BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Uses Trench 9 technology, meets AEC-Q101 requirements.

Obtenga más información

BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C.

Obtenga más información

BUK6Q66-60PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

Obtenga más información

BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

Obtenga más información

BUK6Q12-40PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

Obtenga más información

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 35,479

Se espera el 01/22/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 53

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.58	$0.58
	$0.397	$3.97
	$0.251	$25.10
	$0.163	$81.50
	$0.143	$143.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.122	$366.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

BSH205G2R

Fabricante: Nexperia

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB

Especificaciones

Comentarios de Producto

Documentos (3)

Hoja de datos

Application Notes

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

BSH205G2 20V P-Channel Trench MOSFET

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS NEXPERIA

Disponibilidad

Precio (USD)

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSH205G2/SOT23/TO-236AB

PRODUCTOS DESTACADOS

NEXPERIA