MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.81 $8.81
$6.61 $66.10
$6.30 $157.50
$5.47 $547.00
$5.22 $1,305.00
$4.76 $2,380.00
$4.25 $4,250.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$7.14
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
Sensibles a la humedad: Yes
Dp - Disipación de potencia : 40 mW
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 70 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.