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PSMN7R0-30YL,115

Name: Nexperia PSMN7R0-30YL,115
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN7R0-30YL-T/R
Price: 1.12 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN7R0-30YL-T/R

Fabricante N.º:

PSMN7R0-30YL,115

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YL/SOT669/LFPAK

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

PSMN7R0-30YL,115 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.12	$1.12
	$0.702	$7.02
	$0.647	$32.35
	$0.461	$46.10
	$0.357	$178.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$0.305	$457.50
	$0.28	$840.00
	$0.267	$1,201.50

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-669-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	76 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	51 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934063077115
Peso de la unidad:	91.420 mg

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Hoja de datos

PSMN7R0-30YL,115 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.

PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.