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TQM019NH04CR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TQM019NH04CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TQM019NH04CRRLG
Price: 3.5 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TQM019NH04CRRLG

Fabricante N.º:

TQM019NH04CR RLG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TQM019NH04CR RLG Hoja de datos

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.50	$3.50
	$2.47	$24.70
	$1.73	$173.00
	$1.53	$765.00
	$1.47	$1,470.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.24	$3,100.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN56U-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	214 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	64 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	PerFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	76 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Alias de las piezas n.º:	TQM019NH04CR
Peso de la unidad:	93.500 mg

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Hoja de datos

TQM019NH04CR RLG Hoja de datos

Models

TQM019NH04CR RLG Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

Test/Quality Data

Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (V_DS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

TQM0xNH04CR Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQM0xNH04CR Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified single N-channel MOSFETs. These power MOSFETs offer excellent FOM and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-channel power MOSFETs are 100% UIS and Rg tested and operate at 175°C junction temperature. These power MOSFETs feature 40V drain-source voltage and 400A pulse drain current and come in a PDFN56U package. The TQM0xNH04CR power MOSFETs are halogen-free and RoHS-compliant. Typical applications include automotive applications, solenoid and motor drivers, and DC-to-DC converters.