STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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1,228En existencias
2,000Se espera el 03/19/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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766En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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75En existencias
1,000Se espera el 08/17/2026
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
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597En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
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3,913En existencias
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Carrete: 2,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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1,548En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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385En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 package
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451En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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282En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
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366En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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264En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power
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333En existencias
600Se espera el 02/26/2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
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393En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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299En existencias
600Se espera el 04/06/2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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762En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
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15En existencias
600Se espera el 02/26/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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231En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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600En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
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168En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 93 mOhm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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124En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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573En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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583En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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290En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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585En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
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23En existencias
267Se espera el 03/19/2026
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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