Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4153EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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8 nC

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
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- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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SQD19P06-60L_T4GE3

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20 A

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ407EP-T1_GE3
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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ433EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
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SQ3419AEEV-T1_GE3
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SQJ411EP-T1_GE3
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SQJ479EP-T1_GE3
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SQ3427AEEV-T1_GE3
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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3427EV-T1_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ4483EY-T1_GE3

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30 V

30 A

7 mOhms

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2.5 V

113 nC

- 55 C

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7 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ403EP-T1_GE3

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30 A

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2.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ423EP-T1_GE3

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78-SQJ423EP-T1_GE3

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P-Channel

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40 V

55 A

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- 20 V, 20 V

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Semiconductors
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SQM120P10_10M1LGE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQM40031EL_GE3
Vishay Semiconductors
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SQM40031EL_GE3

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78-SQM40031EL_GE3

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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120 A

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- 55 C

+ 175 C

375 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD40131EL_GE3

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78-SQD40131EL_GE3

Vishay / Siliconix

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- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD50P06-15L_GE3
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DPAK-3 (TO-252-3)

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50 A

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- 20 V, 20 V

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150 nC

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+ 175 C

136 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ481EP-T1_GE3
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PowerPAK-SO-8-4

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- 20 V, 20 V

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50 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60V Automotive MOSFET

SQM110P06-8M9L_GE3
Vishay / Siliconix
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SQM110P06-8M9L_GE3

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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110 A

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- 20 V, 20 V

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25 A
30 A
32 A
36 A
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52 A
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60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
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48 mOhms

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5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC