Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPA030N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.82
2,048 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA030N10NF2SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
2,048 En existencias
1
$4.82
10
$2.48
100
$2.38
500
$1.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
100 V
83 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
154 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.86
904 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
904 En existencias
1
$3.86
10
$1.95
100
$1.81
500
$1.50
1,000
$1.35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
182 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$1.96
1,866 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
1,866 En existencias
1
$1.96
10
$1.18
100
$0.936
500
$0.783
1,000
Ver
1,000
$0.715
5,000
$0.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
100 V
77 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.76
3,508 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
3,508 En existencias
1
$3.76
10
$1.94
100
$1.67
500
$1.42
1,000
Ver
1,000
$1.41
2,000
$1.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
201 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.88
8,709 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-P019N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
8,709 En existencias
1
$2.88
10
$1.43
100
$1.28
500
$1.03
1,000
Ver
1,000
$0.968
2,000
$0.934
5,000
$0.904
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
185 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.87
919 En existencias
1,000 Se espera el 06/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-P016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
919 En existencias
1,000 Se espera el 06/11/2026
1
$2.87
10
$1.42
100
$1.28
500
$1.03
1,000
$0.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
194 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
155 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP019N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.88
1,154 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
1,154 En existencias
1
$3.88
10
$1.88
100
$1.63
500
$1.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
191 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1:
$5.01
77 En existencias
1,000 Se espera el 05/26/2026
N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
77 En existencias
1,000 Se espera el 05/26/2026
1
$5.01
10
$2.59
100
$2.36
500
$1.95
1,000
$1.92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
198 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
203 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$4.89
1,638 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
1,638 En existencias
1
$4.89
10
$2.53
100
$2.30
500
$1.90
1,000
$1.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
184 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
103 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.76
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
3,000 En existencias
1
$2.76
10
$1.36
100
$1.22
500
$0.977
1,000
Ver
1,000
$0.946
2,000
$0.895
5,000
$0.765
10,000
$0.743
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
80 V
99 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
36 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPA082N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.45
544 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA082N10NF2SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
544 En existencias
1
$2.45
10
$1.19
100
$1.09
500
$0.893
1,000
Ver
1,000
$0.725
5,000
$0.722
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
100 V
46 A
8.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
35 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPP015N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.74
99 En existencias
5,000 Se espera el 06/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP015N04NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
99 En existencias
5,000 Se espera el 06/11/2026
1
$2.74
10
$1.35
100
$1.21
500
$0.972
1,000
Ver
1,000
$0.894
2,000
$0.844
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
193 A
1.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP030N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.02
1,595 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP030N06NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
1,595 En existencias
1
$2.02
10
$0.971
100
$0.868
500
$0.688
1,000
Ver
1,000
$0.656
2,000
$0.565
5,000
$0.556
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
119 A
3.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.26
1,091 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
1,091 En existencias
1
$3.26
10
$1.63
100
$1.50
500
$1.24
1,000
Ver
1,000
$1.14
2,000
$1.08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
80 V
115 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.06
931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
931 En existencias
1
$2.06
10
$0.991
100
$0.886
500
$0.703
1,000
Ver
1,000
$0.643
2,000
$0.593
5,000
$0.571
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
100 V
52 A
12.9 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$1.98
2,195 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,195 En existencias
1
$1.98
10
$0.95
100
$0.849
500
$0.672
1,000
Ver
1,000
$0.614
2,000
$0.582
5,000
$0.541
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.96
967 En existencias
1,000 Se espera el 05/26/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
967 En existencias
1,000 Se espera el 05/26/2026
1
$2.96
10
$1.48
100
$1.33
500
$1.08
1,000
Ver
1,000
$0.971
2,000
$0.935
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
110 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPP013N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$3.37
5,000 Se espera el 05/28/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP013N04NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
5,000 Se espera el 05/28/2026
1
$3.37
10
$1.69
100
$1.40
500
$1.13
1,000
$1.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
197 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.4 V
159 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
$4.50
2,000 Se espera el 07/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
2,000 Se espera el 07/09/2026
1
$4.50
10
$2.32
100
$2.11
500
$1.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
80 V
196 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube