Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
1: $0.76
18,371En existencias
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SSM6J507NU,LF

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757-SSM6J507NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

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$0.177

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SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.86
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ50S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

TJ90S04M3L,LQ
Toshiba
1: $3.09
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N.º de artículo del Fabricante
TJ90S04M3L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

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$3.09

$2.00

$1.41

$1.14

$1.09

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

1 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

TPC8132,LQ(S
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TPC8132,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8132LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

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$1.69

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$0.468

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

33 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPH1R712MD,L1Q
Toshiba
1: $2.17
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N.º de artículo del Fabricante
TPH1R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

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$2.17

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

20 V

60 A

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- 12 V, 12 V

500 mV

182 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

TPN4R712MD,L1Q
Toshiba
1: $1.32
7,993En existencias
15,000Se espera el 10/16/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPN4R712MD,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN4R712MDL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

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$0.316

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: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

P-Channel

1 Channel

20 V

36 A

4.7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

65 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

SSM3J132TU,LF
Toshiba
1: $0.77
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J132TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J132TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V

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$0.77

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

12 V

5.4 A

14 mOhms

- 6 V, 6 V

1 V

33 nC

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+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

SSM3J140TU,LF
Toshiba
1: $0.78
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J140TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J140TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

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4.4 A

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1 V

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1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

SSM3J143TU,LF
Toshiba
1: $0.58
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J143TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J143TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A

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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5.5 A

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- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

SSM3J331R,LF
Toshiba
1: $0.37
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SSM3J331R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J331RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

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$0.076

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

150 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

SSM3J353F,LF
Toshiba
1: $0.42
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SSM3J353F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J353FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V

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$0.103

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SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

30 V

2 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1: $0.62
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET

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$0.245

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$0.14

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

SSM3J375F,LXHF
Toshiba
1: $0.42
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SSM3J375F,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J375FLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET

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SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

150 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: $0.34
4,177En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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$0.07

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

SSM3J377R,LXHF
Toshiba
1: $0.47
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET

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$0.47

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$0.099

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: $0.40
5,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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$0.40

$0.248

$0.156

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$0.084

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

SSM3J66MFV,L3F
Toshiba
1: $0.33
19,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J66MFVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

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$0.33

$0.203

$0.127

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$0.05

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: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

4 Ohms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

SSM6J214FE(TE85L,F
Toshiba
1: $0.71
13,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J214FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J214FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V

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$0.71

$0.438

$0.279

$0.21

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$0.141

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: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

50 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba
1: $0.54
2,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J215FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J215FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF

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2,818En existencias

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$0.54

$0.33

$0.21

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: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.4 A

154 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

SSM6J216FE,LF
Toshiba
1: $0.64
2,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J216FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J216FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

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: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

1 Channel

12 V

4.8 A

26 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

700 mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF

SSM6J414TU,LF
Toshiba
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6 A

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1 V

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

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U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J503NU,LF
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6 A

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- 8 V, 8 V

1 V

12.8 nC

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U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ

TPCC8105,L1Q
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TSON-8

P-Channel

1 Channel

30 V

23 A

7.8 mOhms

- 25 V, 20 V

800 mV

76 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

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U-MOSVI

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SSM3J135TU,LF
Toshiba
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SSM3J135TU,LF

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UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

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U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A

SSM3J145TU,LF
Toshiba
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SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3 A

103 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.6 nC

+ 150 C

1 W

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AEC-Q101

U-MOSVI

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W