Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3J327R,LF
Toshiba
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SSM3J327R,LF

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757-SSM3J327RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.9 A

93 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

SSM3J352F,LF
Toshiba
1: $0.39
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SSM3J352F,LF

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757-SSM3J352FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

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SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

90 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

SSM3J356R,LXHF
Toshiba
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SSM3J356R,LXHF

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757-SSM3J356RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET

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$0.65

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

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2 V

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- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

SSM3J371R,LF
Toshiba
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SSM3J371R,LF

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757-SSM3J371RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A

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$0.38

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$0.111

Envase tipo carrete

$0.079

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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

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300 mV

10.4 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

SSM3J375F,LF
Toshiba
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SSM3J375F,LF

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757-SSM3J375FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A

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SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

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20 V

2 A

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- 8 V, 6 V

1 V

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AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
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SSM3J56ACT,L3F

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757-SSM3J56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

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$0.44

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SMD/SMT

CST3-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

4 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

SSM3K324R,LF
Toshiba
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SSM3K324R,LF

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757-SSM3K324RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

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2,795En existencias

21,000Se espera el 05/29/2026

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$0.48

$0.293

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$0.137

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N-Channel

1 Channel

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
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SSM3K345R,LF

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757-SSM3K345RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

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$0.133

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$0.087

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

SSM3K56FS,LF
Toshiba
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60,000Se espera el 05/29/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K56FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K56FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF

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8,307En existencias

60,000Se espera el 05/29/2026

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$0.35

$0.212

$0.133

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$0.072

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

235 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

SSM6J212FE,LF
Toshiba
1: $0.86
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6J212FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J212FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

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$0.86

$0.616

$0.383

$0.264

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$0.17

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

94 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba
1: $0.51
555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J213FE(TE85L,F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J213FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF

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555En existencias

Cinta cortada

$0.51

$0.315

$0.20

$0.152

Envase tipo carrete

$0.094

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.6 A

250 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J422TU,LF
Toshiba
1: $0.53
3,473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J422TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J422TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package

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3,473En existencias

Cinta cortada

$0.53

$0.326

$0.207

$0.156

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$0.14

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

42.7 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

SSM6J771G,LF
Toshiba
1: $1.04
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J771G,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J771GLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm

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935En existencias

Cinta cortada

$1.04

$0.651

$0.426

$0.336

Envase tipo carrete

$0.249

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WCSP6C-6

P-Channel

2 Channel

20 V

5 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

SSM6L61NU,LF
Toshiba
1: $0.70
3,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A

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3,582En existencias

Cinta cortada

$0.70

$0.432

$0.278

$0.211

Envase tipo carrete

$0.15

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms, 157 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

400 mV, 500 mV

3.6 nC, 6.74 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVII-H / U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6N16FUTE85LF
Toshiba
1: $0.40
5,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N16FUTE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N16FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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5,885En existencias

Cinta cortada

$0.40

$0.244

$0.154

$0.136

Envase tipo carrete

$0.091

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

5.2 Ohms

- 10 V, 10 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

SSM6N57NU,LF
Toshiba
1: $0.66
3,697En existencias
12,000Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N57NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N57NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS

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3,697En existencias

12,000Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

$0.66

$0.405

$0.26

$0.196

Envase tipo carrete

$0.149

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

SSM6N61NU,LF
Toshiba
1: $0.75
243En existencias
6,000Se espera el 09/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N61NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N61NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A

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243En existencias

6,000Se espera el 09/04/2026

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$0.75

$0.462

$0.297

$0.226

Envase tipo carrete

$0.202

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

20 V

4 A

108 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

SSM6P49NU,LF
Toshiba
1: $0.74
2,758En existencias
3,000Se espera el 08/26/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P49NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P49NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

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2,758En existencias

3,000Se espera el 08/26/2026

Cinta cortada

$0.74

$0.455

$0.293

$0.222

Envase tipo carrete

$0.17

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

157 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V

TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.01
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N.º de artículo del Fabricante
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V

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1,231En existencias

Cinta cortada

$2.01

$1.28

$0.861

$0.682

Envase tipo carrete

$0.57

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

33.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V

TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.01
1,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V

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Comentarios de Producto

1,751En existencias

Cinta cortada

$2.01

$1.28

$0.861

$0.682

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$0.575

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

15 A

63 mOhms

36 nC

41 W

AEC-Q100

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TJ15S10M3,LQ
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P-Channel

1 Channel

100 V

15 A

130 mOhms

- 20 V, 10 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET

SSM3J351R,LXHF
Toshiba
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SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W