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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise
Hoja de datos
165En existencias
173Se espera el 06/22/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-78-8 N-Channel Dual 10 V - 20 V - 3 V 30 mA 500 pA 300 mW IF360 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -20V Low Noise
Hoja de datos
32En existencias
150Se espera el 05/21/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-39-3 N-Channel Single 10 V - 20 V - 2 V 30 mA 500 pA 300 mW IF360 Bulk