Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQS460EN-T1_GE3

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78-SQS460EN-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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60 V

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13 nC

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39 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

SQS484EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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16 A

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- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

SQS840EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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33 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

SQS462EN-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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8 A

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12 nC

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33 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQS850EN-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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10,464En existencias

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SQS850EN-T1_GE3

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18 mOhms

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33 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQS482EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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AEC-Q101

TrenchFET

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