Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ402E-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ1470AEH-T1_GE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

SQD50034E_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.19
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SQD50034E_GE3

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78-SQD50034E_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

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Enhancement

TrenchFET

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD97N06-6M3L_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD97N06-6M3L_GE3

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78-SQD97N06-6M3L_GE3

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJA64EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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15 A

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SQJA70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ100E-T1_GE3
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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ444EP-T1_GE3

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SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
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SQD50N06-09L_GE3

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ416EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ416EP-T1_GE3

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27 A

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

SQJ464EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ464EP-T1_GE3

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78-SQJ464EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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32 A

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AEC-Q101

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.83
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SQS460EN-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.71
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SQJ886EP-T1_GE3

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781-SQJ886EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQSA80ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQSA80ENW-T1_GE3

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78-SQSA80ENW-T1_GE3

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N-Channel

1 Channel

80 V

18 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.01
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N.º de artículo del Fabricante
SQJQ480E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.19
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3,039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4182EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4182EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SOIC-8

N-Channel

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30 V

32 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

110 nC

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+ 175 C

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

SQD07N25-350H_GE3
Vishay Semiconductors
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SQD07N25-350H_GE3

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78-SQD07N25-350H_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

7 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

29 nC

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AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

SQM200N04-1m7L_GE3
Vishay / Siliconix
1: $4.29
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N.º de artículo del Fabricante
SQM200N04-1m7L_GE3

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781-SQM200N041M7LGE

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4050EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD10N30-330H_GE3
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SQD25N06-22L_T4GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ476EP-T1_GE3
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1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

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AEC-Q101

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SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQS460ENW-T1_GE3

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78-SQS460ENW-T1_GE3

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2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD25N15-52_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD25N15-52_GE3

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Vishay / Siliconix

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AEC-Q101

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

440 mA
1.6 A
1.7 A
2 A
2.25 A
5.63 A
7 A
8 A
9 A
10 A
11.5 A
12 A
13 A
14 A
14.7 A
15 A
16 A
18 A
19 A
20 A

840 uOhms
870 uOhms
900 uOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.25 mOhms
2.4 mOhms
2.45 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms

2.3 nC
2.5 nC
4 nC
4.1 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.2 nC
5.5 nC
6 nC
7.6 nC
7.9 nC
7.95 nC
9.7 nC
10.6 nC
11 nC
12.4 nC
12.7 nC
13 nC
14 nC
15 nC

430 mW
2 W
3 W
3.3 W
3.6 W
5 W
6 W
6.8 W
7.1 W
13.6 W
27 W
31.25 W
37 W
39 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
62 W