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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
761Se espera el 10/02/2026
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET D2-PAK No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 143 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel