STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Resultados: 20
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 10 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
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9,601En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
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38,083En existencias
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: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
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2,946En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
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4,712En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
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773En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 365 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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2,744En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 20.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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683En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2,387En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK packa
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5,609En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
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10,029En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
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2,551En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 172 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 32 mOhm typ., 24 A STripFET II Power MOSFET in
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3,577En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 11mOhm 200A STripFET
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536En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
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1,970En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
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2,241En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a
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4,589En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
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8,447En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 30 V, 4 mOhm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel