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NTMFS5H419NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H419NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H419NLT1G
Price: 2.1 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS5H419NLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS5H419NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

Hoja de datos:

NTMFS5H419NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.10	$2.10
	$1.29	$12.90
	$0.952	$95.20
	$0.775	$387.50
	$0.741	$741.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$0.702	$1,053.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	155 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	45 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	56 ns
Serie:	NTMFS5H419NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	62 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Peso de la unidad:	175 mg

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Hoja de datos

NTMFS5H419NLT1G Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NTMFS5H419NL 40V 150A N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS5H419NL 40V 150A N-channel Power MOSFET is a Single Channel MOSFET offering low ON resistance, low gate charge, and low capacitance. These features minimize conduction loss and provide superior switching performance. The NTMFS5H419NL Power MOSFET is offered in a compact 5mm x 6mm DFN-5 package, ideal for space constrained applications.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).