Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R8-100YSF/SOT669/LFPAK

PSMN9R8-100YSFX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-80YSF/SOT1023/4 LEADS

PSMN3R5-80YSFX
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88

PSMN1R8-80SSFJ
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PSMN5R5-100YSFX
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SOT-669-5

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PSMN7R2-100YSFX
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PSMN012-100YSFX
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PSMN015-100YSFX
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SO8-4

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PSMN2R0-100SSFJ
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SOT-1023-4

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120 A

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SMD/SMT

LFPAK56-4

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS

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170 A

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73 nC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS

PSMN4R8-100YSEX
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