MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Corriente CC máxima de colector
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel