Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSIX-H Power MOSFETs are 40V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices are housed in a small, low-resistance SOP Advance (WF) package. They feature low on-resistance, which can reduce conduction loss. The U-MOSIX-H series also lowers switching noise compared with Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’s previous series (U-MOSIV).

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
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TK1R4S04PB,LXHQ

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757-TK1R4S04PB,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
1: $5.16
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TKR74F04PB,LXGQ

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757-TKR74F04PBLXGQ

Toshiba

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$2.54

$2.50

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
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TPHR7904PB,L1XHQ

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757-TPHR7904PB,L1XHQ

Toshiba

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
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TPW1R104PB,L1XHQ

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757-TPW1R104PB,L1XHQ

Toshiba

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
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TK1R4F04PB,LXGQ

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757-TK1R4F04PB,LXGQ

Toshiba

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPH1R104PB,L1XHQ
Toshiba
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TPH1R104PB,L1XHQ

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757-TPH1R104PB,L1XHQ

Toshiba

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$0.668

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

55 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A

XPJ1R004PB,LXHQ
Toshiba
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XPJ1R004PB,LXHQ

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757-XPJ1R004PBLXHQ

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

TPHR6503PL1,LQ
Toshiba
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TPHR6503PL1,LQ

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757-TPHR6503PL1LQ

Toshiba

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$2.93

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

420 A

410 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

TPHR9203PL1,LQ
Toshiba
1: $2.25
30,034En existencias

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TPHR9203PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9203PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)

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$0.618

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

610 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

81 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1: $2.11
3,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR7904PB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR7904PB,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$1.67

$1.22

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$0.812

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1: $2.81
989En existencias
14,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK1R5R04PB,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$2.81

$2.15

$1.55

$1.34

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$1.12

$1.08

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Mult.: 1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

TPH1R204PL1,LQ
Toshiba
1: $2.00
13,044En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R204PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R204PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)

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13,044En pedido

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$2.00

$1.41

$0.947

$0.763

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

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40 V

270 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

74 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

TPH1R306PL1,LQ
Toshiba
1: $3.14
4,904Se espera el 06/15/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306PL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306PL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)

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4,904Se espera el 06/15/2026

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$3.14

$2.05

$1.42

$1.20

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$1.04

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

280 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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