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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
165En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Hoja de datos
615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
Hoja de datos
1,122En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
Hoja de datos
558En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube