Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low RDS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0 Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S 1,793En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577En existencias
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 627En existencias
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345En existencias
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558En existencias
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SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube