Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Mod: 1200V 180A (no Diode)
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
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Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC DIODE: 6A 600V
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1,000Se espera el 08/31/2026
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC, SBD 650V 12A DPAK
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC, SBD 650V 20A DPAK
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N
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450Se espera el 11/25/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
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60En existencias
1,350Se espera el 10/28/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
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450Se espera el 07/06/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
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3,150En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC, SBD 650V 15A D2PAK
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2