Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4.5A TSOP-6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.5 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 9,000
Mult.: 9,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 mA 310 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 650 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.5 A 40 mOhms - 12 V, 12 V 950 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 9,000
Mult.: 9,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.3 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel