FDA38N30

onsemi
512-FDA38N30
FDA38N30

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFET1 300V N-chan MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
300 V
38 A
70 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
60 nC
- 55 C
+ 125 C
312 W
Enhancement
UniFET
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6.3 S
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: FDA38N30
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 4.600 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.

En existencias: 2,325

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 120
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

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Precio ext.
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