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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Trench N-Channel
Hoja de datos
239,652En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 16,000
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-963-6 N-Channel 2 Channel 20 V 220 mA 1.5 Ohms - 8 V, 8 V 400 mV - 55 C + 150 C 125 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Mosfet Complementary
Hoja de datos
21,123En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-963-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 200 mA, 280 mA 1.5 Ohms, 10 Ohms - 8 V, 8 V 400 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel