RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Número de canales: 1 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Peso de la unidad: 2.400 g
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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

RF3L05150CB4 RF Power LDMOS Transistor

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