DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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30,293En existencias
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Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel, NPN 2 Channel 60 V 8.8 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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5,278En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT V-DFN3030-8 N-Channel 2 Channel 60 V 8.8 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13.9 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
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3,671En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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4,120En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
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11,511En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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2,733En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 130.8 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
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6,496En existencias
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Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.4 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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4,951En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.6 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2,142En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 47.2 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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3,029En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 53.7 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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2,564En existencias
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Si SMD/SMT V-DFN3030-Q-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17.1 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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1,739En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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1,799En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
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2,260En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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1,833En existencias
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Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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1,920En existencias
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Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 9.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 33.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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2,425En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 40.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A
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90En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 98 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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878En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
Hoja de datos
2,895En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
Hoja de datos
1,400En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
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965En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 100 V 54.7 A 17.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 28.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V
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4,692En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.4 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.4 nC - 55 C + 150 C 12.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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710En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 53.7 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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1,410En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 24 V 80 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 53.7 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel