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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
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1,494En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
695En existencias
Min.: 1
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1,021En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
839En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
24En existencias
450Se espera el 08/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
5En existencias
450Se espera el 03/12/2026
Min.: 1
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
92En existencias
450Se espera el 05/20/2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,197En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Herramientas de desarrollo de administración de IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
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