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SIR680ADP-T1-RE3

Name: Vishay SIR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR680ADP-T1-RE3
Price: 3.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIR680ADP-T1-RE3

Fabricante N.º:

SIR680ADP-T1-RE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SIR680ADP-T1-RE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.13	$3.13
	$2.03	$20.30
	$1.41	$141.00
	$1.18	$590.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.00	$3,000.00
	$0.942	$8,478.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	125 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.88 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	43 nC, 55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns, 12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	68 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns, 15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns, 30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns, 19 ns
Peso de la unidad:	506.600 mg

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET is a TrenchFET^® Gen IV power MOSFET featuring low R_DS - Q_g Figure Of Merit (FOM). This MOSFET is tuned for the lowest R_DS to Q_oss FOM and 100% R_g and UIS tested. The SiR680ADP MOSFET operates within a -55°C to +150°C temperature range. This MOSFET features an 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 125A pulse drain current. The SiR680ADP MOSFET comes in a PowerPAK SO-8 package. This MOSFET is ideal for synchronous rectification of primary side switches, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, and motor drive control.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.