Módulos de puente completo MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de puente completo MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de puente completo GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module 31En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module 35En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk