MOSFET MLPAK33

Los MOSFET MLPAK33 de Nexperia ofrecen un voltaje puerta-fuente máximo de 20 V y una resistencia en estado de drenaje a fuente de hasta 275 mΩ. Estos MOSFET se incluyen en un paquete MLPAK33 y se dividen en dos series: PXN y PXP. Los MOSFET de tipo trinchera de canal N PXN son compatibles con nivel lógico y cuentan con tecnología MOSFET de trinchera, QG y QGD ultrabaja para lograr una alta eficiencia del sistema y conmutación súper rápida con recuperación suave. Los MOSFET de tipo trinchera de canal P PXP ofrecen un bajo perfil de 0.8 mm y baja resistencia térmica. Los MOSFET MLPAK33 de Nexperia tienen un rango de temperatura ambiente de -55 °C a +150 °C.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 14A
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 25V 13.1A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 25 V 22.3 A 8.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.2 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 4.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 30V 10.9A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 17.7 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 23.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 11.3A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11.3 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 10.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 15A
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14.7 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 12.7A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21.5 A 8.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 4.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 11.4A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17.3 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20.7 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 20V 10.5A
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3,000Se espera el 02/08/2027
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 20 V 17.2 A 11.4 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 65.1 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 20V 8.4A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 20 V 13.7 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 34.8 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 12V 18.7A
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 12 V 98.6 A 3.7 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 75 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 100V 1.4A
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 100 V 1.4 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 20V 12.4A
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12,000Se espera el 02/08/2027
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 20 V 65.1 A 8.3 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 61.2 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 42 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.77 nC - 55 C + 150 C 34.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 10.3A
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6,000Se espera el 02/08/2027
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10.3 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 30V 11.4A
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18.3 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 30V 8.6A
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3,000Se espera el 02/08/2027
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.7 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50.1 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 20V 8A
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5,990Se espera el 02/08/2027
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 20 V 8 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 19.4 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 100V 700A
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 100 V 700 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 30V 13.5A
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2,946Se espera el 02/08/2027
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 71.1 A 6.1 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 77.8 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 N-CH 25V 11.8A
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Si SMD/SMT SOT8002-1-8 N-Channel 1 Channel 25 V 19 A 11.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel