Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF031N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.01
721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF031N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF031N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

721En existencias

Cinta cortada

$6.01

$4.08

$2.97

Envase tipo carrete

$2.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

207 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPF021N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.76
1,656En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF021N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF021N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,656En existencias

Cinta cortada

$6.76

$4.85

$3.88

$3.82

Envase tipo carrete

$3.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO263-7

N-Channel

1 Channel

135 V

250 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $9.29
865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

865En existencias

Cinta cortada

$9.29

$6.35

$4.88

$4.82

$4.65

Envase tipo carrete

$4.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.98
1,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG020N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,228En existencias

Cinta cortada

$8.98

$6.14

$4.69

$4.62

$4.46

Envase tipo carrete

$4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

297 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

159 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTG029N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.08
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTG029N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTG029N13NM6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

1,695En existencias

Cinta cortada

$7.08

$4.76

$3.54

$3.42

Envase tipo carrete

$3.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

135 V

212 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC046N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.39
4,713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC046N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC046N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

4,713En existencias

Cinta cortada

$5.39

$3.59

$2.56

$2.34

$2.27

Envase tipo carrete

$2.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

142 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT020N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.51
495En existencias
8,000Se espera el 05/14/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

495En existencias

8,000Se espera el 05/14/2026

Cinta cortada

$6.51

$4.36

$3.14

$2.87

Envase tipo carrete

$2.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.62
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

73En existencias

Cinta cortada

$5.62

$3.74

$2.67

$2.36

$2.31

Envase tipo carrete

$2.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

172 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ143N13NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.38
570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ143N13NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ143N13NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

570En existencias

Cinta cortada

$3.38

$2.20

$1.54

$1.28

Ver

Envase tipo carrete

$1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

135 V

54 A

14.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

21 nC

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPP073N13NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $3.45
500Se espera el 05/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP073N13NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP073N13NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

500Se espera el 05/07/2026

$3.45

$1.60

$1.45

$1.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

135 V

98 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

Tube

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