R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs

ROHM Semiconductor R60xx PrestoMOS™ High-Voltage MOSFETs incorporate fast recovery diodes to optimize board space while providing 600V in five package types. These third-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors are ideal for power supplies with integrated inverters. These ROHM devices combine high-speed switching with an internal diode and high reverse recovery time (trr) characteristics for optimized efficiency and lower loss while contributing to smaller designs.

Resultados: 73
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 42A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
135En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 104 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 100 nC - 55 C + 150 C 495 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
270En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
1,570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement PrestoMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 780 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 252 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 234 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 45 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 25A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 57 nC - 55 C + 150 C 306 W Enhancement PrestoMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC + 150 C 95 W Enhancement PrestoMOS Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 143 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 74 nC - 55 C + 150 C 93 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Reel