NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia NextPowerS3 MOSFETs are a high-performance 25V, 30V, and 40V MOSFET platform incorporating Nexperia superjunction technology. Nexperia NextPowerS3 devices are offered in a copper-clip LFPAK package, delivering low RDS(on) and demonstrating a continuous current capability up to 380A. Synchronous working parameters allow NextPowerS3 MOSFETs to provide high performance and high reliability.

Resultados: 43
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 100A 650En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.53 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 46.7 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 160A 1,876En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 100A 5,665En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 46.4 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 25V 70A 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 70 A 3.26 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A 2,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 44 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 98A 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 98 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 95A 733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 85A 297En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 25V 70A 1,240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 70 A 5.25 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 70A 1,074En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 70 A 4.93 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 61A 1,170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 61 A 5.84 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.5 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 25V 60A 542En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 7.24 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 60A 2,608En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 19 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 380A 15En existencias
3,000Se espera el 01/18/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 25 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 53 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 300A 524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 940 uOhms - 20 V, 20 V 1.35 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 280A
2,969Se espera el 02/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 127 nC - 55 C + 150 C 198 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 100A Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 96 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 160A Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 44 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel