Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC300N20NM6ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.00
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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPP175N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
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$1.55

$1.29

$1.19

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
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$4.96

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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$8.95

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$4.45

$4.16

Envase tipo carrete

$4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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$4.31

$3.39

$3.32

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Envase tipo carrete

$3.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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$6.81

$4.50

$3.29

$2.97

Envase tipo carrete

$2.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
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$2.36

$2.15

$2.08

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Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.11
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IPB068N20NM6ATMA1

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726-IPB068N20NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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$8.11

$5.84

$4.28

$4.21

Envase tipo carrete

$3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.56
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IPF067N20NM6ATMA1

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726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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$8.56

$5.86

$4.37

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$4.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $2.82
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IPP339N20NM6AKSA1

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726-IPP339N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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$2.82

$1.55

$1.35

$1.12

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.95
1,785En existencias
1,980En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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1,980En pedido

Cinta cortada

$7.95

$5.39

$3.94

$3.81

$3.67

Envase tipo carrete

$3.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.73
6,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

$2.73

$1.66

$1.18

$0.968

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Envase tipo carrete

$0.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.24
469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

469En existencias

Cinta cortada

$6.24

$4.18

$3.01

$2.80

Envase tipo carrete

$2.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $8.35
39En existencias
2,500Se espera el 05/26/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

39En existencias

2,500Se espera el 05/26/2026

$8.35

$5.28

$4.49

$3.90

$3.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.45
77En existencias
4,000Se espera el 06/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB339N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

77En existencias

4,000Se espera el 06/11/2026

Cinta cortada

$4.45

$2.92

$2.12

$1.79

Envase tipo carrete

$1.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.39
9,900Se espera el 03/25/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

9,900Se espera el 03/25/2027

Cinta cortada

$6.39

$4.22

$3.12

$2.86

Envase tipo carrete

$2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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