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STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 4.27 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGWA30M65DF2AG

Fabricante N.º:

STGWA30M65DF2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.27	$4.27
	$2.80	$28.00
	$2.09	$250.80
	$1.86	$948.60
	$1.59	$1,621.80
	$1.50	$3,780.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.02 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	87 A
Dp - Disipación de potencia :	441 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	57 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	6.100 g

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PCN

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG offers an optimal system performance and efficiency balance for inverters, with low-loss and essential short-circuit functionality. The device is AEC-Q101 qualified and features a maximum junction temperature of +175°C, a 6μs short circuit withstand time, low V_CE(sat) of 1.7V at 30A, and tight parameter distribution. The device also includes a soft, fast-recovery antiparallel diode and low thermal resistance and is available in a TO-247 long leads package.