600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs offer an ideal price performance for low-frequency switching applications. The CoolMOS S7 and S7T series features a low RDS(on) value for an HV SJ MOSFET, with an increase in energy efficiency. Infineon CoolMOS S7 and S7T MOSFETs are optimized for static-switching and high-current applications. The MOSFETs come in a TOLL or a Q-DPAK package with top-side and bottom-side variants. The CoolMOS SJ S7 MOSFETs target applications where switching losses are irrelevant. The CoolMOS SJ S7T devices integrate a temperature sensor to improve junction temperature sensing accuracy. The devices are geared toward solid-state solutions, such as solid-state circuit breakers and solid-state relay (SSR) applications.

Resultados: 22
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,485En existencias
MouseReel Disponible
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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406En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
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740En existencias
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: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 174 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 318 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
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373En existencias
Min.: 1
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: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 174 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 318 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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593En existencias
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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185En existencias
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Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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604En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 40 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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750En existencias
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 113 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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952En existencias
2,000Se espera el 05/07/2026
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Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2,083En existencias
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Si CoolMOS Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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625En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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739En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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422En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 318 nC - 40 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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699En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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135En existencias
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Si CoolMOS Reel, Cut Tape
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123En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 318 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,089En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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67En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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240En existencias
8,000Se espera el 07/16/2026
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,500En pedido
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 750
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Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 371 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel