|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5
- STP21N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.57
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega 24 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP21N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5
|
|
Plazo de entrega 24 Semanas
|
|
|
$5.57
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.65
|
|
|
$2.21
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
150 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
- STY112N65M5
- STMicroelectronics
-
600:
$27.62
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STY112N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
|
|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
96 A
|
19 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
350 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
625 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
- STY60NM50
- STMicroelectronics
-
1:
$24.82
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STY60NM50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
|
|
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
60 A
|
50 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
266 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
560 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
- STP9NM60N
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.28
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP9NM60N
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
|
|
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.19
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6.5 A
|
630 mOhms
|
|
|
|
|
|
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
- STB11NM60FDT4
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.55
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM60FD
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
11 A
|
450 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
160 W
|
Enhancement
|
|
Reel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
- STB32N65M5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$5.77
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB32N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
95 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
72 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
- STF7NM80
- STMicroelectronics
-
1,000:
$2.10
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
6.5 A
|
1.05 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
- STF8N65M5
- STMicroelectronics
-
1,000:
$1.28
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF8N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
|
|
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.21
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7 A
|
600 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
- STL26NM60N
- STMicroelectronics
-
3,000:
$2.23
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
|
|
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-HV-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
19 A
|
160 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
3 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
- STW18NM60N
- STMicroelectronics
-
600:
$3.07
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
|
|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13 A
|
260 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|