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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH. Low Side MOSFET 31,507En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 250 mOhms 1.5 V - 40 C + 150 C 1.65 W Enhancement IntelliFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 150 mOhms - 5 V, 5 V 700 mV - 40 C + 125 C 1.65 W Enhancement AEC-Q101 IntelliFET Reel