Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8
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114,077En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 18.6 A 8 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 108 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
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32,163En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 19.2 A 15.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 135 nC - 55 C + 150 C 5.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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31,074En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 3.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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59,449En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
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78,270En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 25.7 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 203 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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81,208En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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56,309En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 25 V 8 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 25 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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6,318En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 2.75 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 70 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2,499En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30.5 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 6.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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3,262En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13.5A 0.0085Ohm
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7,325En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13.5 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 12V 1.4W
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3,986En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel
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41,470En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 13.4 A 15.5 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 60 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt 25 Amp 3.5W
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1,918En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.2 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 80 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V
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4,345En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18.2 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 5.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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12,410En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.8 A, 11.4 A 11.5 mOhms, 18.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC, 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.4 W, 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8
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2,866En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
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14,631En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32.1 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 40 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
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22,941En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 36 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
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3,637En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
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6,012En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 30 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
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10,344En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 1.4 V 57 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8
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7,452En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 20 A 6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 95 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
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21,751En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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15,982En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel