DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Resultados: 113
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
98En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Hoja de datos
13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
60En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
Hoja de datos
15En existencias
50Se espera el 06/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Hoja de datos
39En existencias
30Se espera el 06/01/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 105 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
Hoja de datos
63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
136En existencias
4,740Se espera el 06/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 62 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 135 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Hoja de datos
149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
252En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Hoja de datos
153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9.5 A 460 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
Hoja de datos
338En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
Hoja de datos
78En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel
Hoja de datos
34En existencias
2,000Se espera el 10/16/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si Through Hole D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Hoja de datos
19En existencias
90Se espera el 06/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Hoja de datos
61En existencias
150Se espera el 09/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
74En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
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219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Hoja de datos
145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.5 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube